| 型号：SI4916DY-T1-E3 | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC |
| 系列 | - |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 7.5A，7.8A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 18 毫欧 @ 10A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 3V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | - |
| 功率_最大 | 1.9W，2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 深圳市楷瑞达科技电子有限公司 | 朱先生13528893675 |
| 深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
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