型号:SI4916DY-T1-E3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 7.5A,7.8A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 18 毫欧 @ 10A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 10nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 1.9W,2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
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